①用SiO2含量大约为95%的硅石和灰分少的焦炭混合,用1000～3000kVA开式电弧炉,加热到1900℃左右进行还原.
②用SiO2含量大约为95%的硅石和灰分少的焦炭混合,加热到1900℃左右进行还原.此方法制得的硅纯度为97%～98%,被称作**化后进行重结晶,用酸除去杂质,得到纯度为99.7%～99.8%的金属硅.如要将它做成半导体用硅,还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式,再经蒸馏,分解过程得到多晶硅.如需得到高纯度的硅,则需要进行进一步的提纯处理.
③三氯氢硅法将干燥的硅粉加入合成炉中,与通入的干燥氯化氢气体在280～330℃有氯化亚铜催化剂存在下进行氯化反应,反应气体经旋风分离除去杂质,再用氯化钙冷冻盐水将气态三氯氢硅冷凝成液体,经粗馏塔蒸馏和冷凝,除去高沸物和低沸物,再经精馏塔蒸馏和冷凝,得到精制三氯氢硅液体.纯度达到7个"9"以上,杂质含量小于1×10-7,硼要求在0.5×10-9以下.提纯后的三氯氢硅送入不锈钢制的还原炉内,用超纯氢气作还原剂,在1050～1100℃还原成硅,并以硅芯棒为载体,沉积而得多晶硅成品.
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